LED顯示照明行業(yè)新十年|硅基Mini LED顯示
LED行業(yè)每十年左右迎來一輪大的技術(shù)和應(yīng)用升級。十年前以大尺寸背光、小間距顯示為代表的應(yīng)用升級，驅(qū)動了2010-2017年LED行業(yè)的繁榮。而結(jié)合目前芯片價格上漲、中國臺灣產(chǎn)業(yè)鏈營收回暖等跡象，LED行業(yè)拐點正在來臨，下游需求向好疊加技術(shù)升級推動行業(yè)景氣抬升，Mini/Micro LED將開啟下一個十年。
LED日趨微型化，Mini & Micro LED應(yīng)運而生， Mini?LED背光產(chǎn)品對提升顯示質(zhì)量效果顯著， Mini LED背光商業(yè)化進展迅速，有望成為液晶高端顯示器解決方案。專家預(yù)測Mini & Micro LED直顯可能是未來最優(yōu)的顯示技術(shù)；高畫質(zhì)、低能耗特點使其在消費電子市場優(yōu)勢盡顯。
2021年8月4日，深圳市照明與顯示工程行業(yè)協(xié)會、惠州仲愷高新區(qū)LED品牌發(fā)展促進會、廣州國際照明展覽會在廣州國際照明展9.2號館E60聯(lián)合主辦主題為“LED顯示照明行業(yè)新十年”的Mini & Micro LED顯示照明發(fā)展高峰論壇。
大會現(xiàn)場
晶能芯片中心總監(jiān)楊小東出席Mini & Micro LED顯示照明發(fā)展高峰論壇并做《硅基LED Mini超高清顯示屏應(yīng)用趨勢》主題演講。
晶能芯片中心總監(jiān)? 楊小東
以下是報告主要內(nèi)容：
晶能硅基垂直芯片方案有三大優(yōu)勢：
01
Mini LED顯示方案
晶能TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案簡介：
????? TFFC: 一般指經(jīng)過襯底剝離的薄膜LED芯片，做成倒裝結(jié)構(gòu)，稱為thin film flip chip，薄膜倒裝LED芯片或者去襯底倒裝LED芯片，簡稱TFFC。
晶能P0.6—P0.3顯示方案TFFC 2*4mil芯片簡介：
VTF/TFFC 芯片實現(xiàn)P0.6—0.3技術(shù)方案介紹：
????? 由于現(xiàn)有四元紅光去襯底后機械強度不夠，在極小芯片尺寸下進行轉(zhuǎn)移的過程中容易碎裂，很難進行后續(xù)的工藝生產(chǎn)。晶能將以下兩個技術(shù)路線為主要研發(fā)方向：
技術(shù)路線一：
????? RGB三色均采用InGaN TFFC ，LED外延、芯片制程統(tǒng)一。硅基InGaN紅光LED取得巨大突破，為該技術(shù)提供可能。
技術(shù)路線二：
???? TFFC芯片+量子點/KSF紅光（QD/KSF+藍光InGaNLED）,采用印刷、噴涂、打印等技術(shù)，在藍光LED表面放置QD或者KSF熒光粉得到紅色的LED。
TFFC、FC與Micro芯片對比（實現(xiàn)P0.6以下間距顯示）：
???? 用Micro芯片技術(shù)的約70%去實現(xiàn)Mini顯示，降低了技術(shù)難度，同時可以讓4k、8k超高清顯示的LED芯片成本大幅度降低，大量量產(chǎn)有機會在2年內(nèi)實現(xiàn)。
02
硅基Mini LED芯片進展
晶能硅基Mini LED 產(chǎn)品量產(chǎn)規(guī)劃：
4K、8K Mini超高清顯示大屏在5G技術(shù)的驅(qū)動下勢不可擋，晶能硅基Mini LED芯片技術(shù)路線有機會提供一個超高性價比光源解決方案。
03
硅基Micro?LED芯片展望
Micro LED預(yù)研：
世界范圍內(nèi)主流Micro的研究方向還是以硅襯底GaN ?LED去襯底技術(shù)路線為主，由于硅襯底GaN與硅半導(dǎo)體晶圓的物理兼容性，可以最大效能利用晶能現(xiàn)有資源，同時避開巨量轉(zhuǎn)移問題，公司優(yōu)先著力Micro LED微顯示研究，應(yīng)用AR/VR/HUD/HMD等方向。
硅基GaN與硅基CMOS驅(qū)動電路進行晶圓級邦定，去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續(xù)GaN芯片工藝。
研發(fā)路線：先單色，后全彩。
