近日，國際半導體照明聯(lián)盟（ISA）在廣州舉行年度成員大會，并正式發(fā)布了“全球半導體照明2012年度新聞”評選結果。晶能光電作為“全球首家量產硅基大功率LED芯片的公司”成功入選了“全球半導體照明2012年度新聞”。

同時入選ISA2012年度新聞的還包括：半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新實驗室的建立，科銳SC3技術平臺，全球首家GaN 襯底GaN發(fā)光芯片使LED技術進入新階段：LED2.0，菲利普在貴陽村莊設立太陽能路燈等，晶能光電全球首家硅基大功率LED芯片量產的新聞按照得分高低排名第二。

“全球半導體照明年度新聞”是全球半導體照明領域最具影響力的新聞事件，此次新聞事件體現(xiàn)了硅基大功率LED芯片量產對于半導體照明的重要意義，也再次確認晶能光電在硅基LED芯片研發(fā)制造方面的全球領先地位。

另外，第九屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇也于2012年11月5日至7日在廣州保利世貿博覽館舉行。晶能光電公司展示了包括28mil、35mil、45mil、55mil在內的多款硅基大功率LED芯片產品，通過此次展會讓更多人進一步了解硅基LED芯片產品。

晶能光電擁有的硅基LED技術，具有完整的自主知識產權，目前已申請或獲得國際國內各種專利200余項，在藍寶石襯底、碳化硅襯底之外，形成了第三條半導體照明技術路線。相比藍寶石襯底、碳化硅襯底技術，晶能光電目前硅襯底LED技術生產的芯片具有如下三大優(yōu)勢：（一）具有原創(chuàng)知識產權，產品可銷往國際市場，不受國際專利限制；（二）具有優(yōu)良的性能：器件散熱好、可在大電流密度下工作、抗靜電性能好、壽命長、光斑形狀好；（三）器件封裝工藝簡單，垂直結構芯片，適合做熒光粉直涂工藝，節(jié)約封裝成本。