6月10日，在廣州舉行的2013年新世紀(jì)LED峰會(huì)外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化和大尺寸硅襯底LED技術(shù)的最新進(jìn)展。

晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士

　　孫錢(qián)博士介紹，Haitz定律追求的是高性價(jià)比LED。市場(chǎng)需要的是一條追隨和突破Haitz定律的技術(shù)路線，它要有更大的襯底晶圓、更低的芯片工藝成本、更高的光效、更高的工作電流密度以及單位芯片面積更高的出光功率。硅襯底LED技術(shù)或?qū)⑹亲罾硐氲倪x擇。

　　繼2012年6月12日發(fā)布硅襯底大功率LED芯片量產(chǎn)以來(lái)，在孫錢(qián)博士帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)的的努力下，晶能光電取得了大步的“芯”跳躍，硅襯底大功率LED外延生產(chǎn)水平可達(dá)到同爐外延片波長(zhǎng)總體在7-8nm，爐與爐之間波長(zhǎng)重復(fù)性穩(wěn)定在±2nm,同時(shí)片內(nèi)波長(zhǎng)STD約1.3nm且翹曲度小。外延水平的提升的同時(shí)，硅襯底大功率LED芯片性能得到了飛速提升。目前，45mil芯片量產(chǎn)水平裸芯光強(qiáng)500mW，平均電壓2.9-3V，反向漏電流小于0.1uA;封裝成冷白光效可達(dá)到140lm/W@350mA，性能與國(guó)際一流大廠大功率LED芯片水平相當(dāng)。55mil 芯片光效更可達(dá)到150lm/W@350mA，比去年提升幅度近20%。同時(shí)，硅襯底大功率LED芯片在900mA電流，55℃下老化1800小時(shí)無(wú)光衰，顯示了良好的可靠性。

　　孫錢(qián)博士同時(shí)介紹了6寸硅襯底大功率LED研發(fā)的最新進(jìn)展。據(jù)介紹，晶能光電已開(kāi)發(fā)出的6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及芯片工藝技術(shù)制造的45mil芯片光效已達(dá)到125lm/W，并且將于明年實(shí)現(xiàn)6寸硅襯底45mil LED芯片的批量生產(chǎn)，光效達(dá)140lm/W以上。

　　晶能光電是全球硅襯底LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化的引領(lǐng)者。硅襯底大功率LED芯片投放市場(chǎng)以來(lái)，其芯片性能進(jìn)步神速，市場(chǎng)反響強(qiáng)烈，優(yōu)良的可靠性和良好的性價(jià)比得到越來(lái)越多客戶的認(rèn)可。在本次光亞展中，運(yùn)用硅襯底大功率LED芯片的硅襯底模組首次亮相。硅襯底模組以3.5元/W、質(zhì)量五年的高性價(jià)比受到了同行的廣泛關(guān)注。

　　【關(guān)于孫錢(qián)博士】

　　2009年獲美國(guó)耶魯大學(xué)博士學(xué)位，榮獲耶魯工學(xué)院最高獎(jiǎng)和國(guó)家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金。

　　2011年入選中組部首批國(guó)家“青年千人計(jì)劃”，晶能光電有限公司硅襯底氮化鎵LED研發(fā)副總裁，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出硅襯底氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)大功率LED的外延及芯片技術(shù)，并于2012年6月在全球率先量產(chǎn)硅襯底上GaN基大功率LED，入選國(guó)際半導(dǎo)體照明2012年度新聞。

　　十多年來(lái)一直從事氮化物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與器件制備的研發(fā)，包括納米多孔GaN的低成本制備及其應(yīng)用，相關(guān)專利成果已許可給國(guó)際某LED廠家用于提高LED產(chǎn)品的光效。迄今為止共發(fā)表近50篇SCI收錄的學(xué)術(shù)論文，總引用逾430次，參與編寫(xiě)了英文專著一章，曾多次應(yīng)國(guó)際會(huì)議邀請(qǐng)作特邀報(bào)告，應(yīng)邀為多家國(guó)際一流學(xué)術(shù)期刊審稿人，擁有多項(xiàng)美國(guó)和中國(guó)發(fā)明專利。目前作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)國(guó)家科技部863計(jì)劃課題等科研任務(wù)。

　　【關(guān)于硅襯底大功率LED芯片】

　　晶能光電硅襯底大功率LED藍(lán)光芯片創(chuàng)造性地使用硅代替藍(lán)寶石或碳化硅作為襯底制造氮化鎵基LED器件，結(jié)合了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高效GaN外延技術(shù)和芯片技術(shù)，是目前全球唯一商品化的硅襯底大功率產(chǎn)品。具有完整的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)，產(chǎn)品可銷(xiāo)往國(guó)際市場(chǎng)。

　　硅襯底大功率LED芯片可廣泛應(yīng)用于便攜式照明、LCD背光、戶內(nèi)照明和戶外照明。目前已經(jīng)成功應(yīng)用于路燈、球泡燈、手電筒、礦燈頭燈等室內(nèi)外中高端照明產(chǎn)品。具有以下特點(diǎn)：

　　1、采用銀反射鏡電極，電流分布更均勻，可用大電流驅(qū)動(dòng)。

　　2、硅襯底比藍(lán)寶石襯底散熱好。

　　3、具有朗伯發(fā)光形貌，白光出光均勻，容易二次配光。

　　4、打線少，可靠性高。

　　5、可采用導(dǎo)電銀膠，焊錫或共晶焊固晶。

　　6、硅襯底LED芯片單面出光，且分布均勻，適合做熒光粉直涂的直接白光芯片，降低封裝成本。

　　7、適合于陶瓷基板封裝，使大功率封裝容易自動(dòng)化。

　　【關(guān)于晶能光電】

　　晶能光電是由金沙江創(chuàng)業(yè)投資基金牽頭，聯(lián)合國(guó)際頂尖級(jí)創(chuàng)業(yè)投資基金Mayfield fund,AsiaVest，IFC等共同投資設(shè)立的，全球第一家也是目前唯一一家專業(yè)從事硅襯底GaN基LED外延材料與器件研究與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。目前注冊(cè)資金9300萬(wàn)美元，總投資超過(guò)10億元。

　　晶能光電擁有的硅襯底氮化鎵基LED材料與器件技術(shù)是一項(xiàng)改寫(xiě)半導(dǎo)體照明歷史的顛覆性新技術(shù)，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán)，迄今為止已申請(qǐng)或獲得國(guó)際國(guó)內(nèi)各種專利200多項(xiàng)。更多詳情請(qǐng)點(diǎn)擊http://www.armex.com.cn