2016年10月14日，由國家質(zhì)檢總局、國家標(biāo)準(zhǔn)委組織召開2016年世界標(biāo)準(zhǔn)日主題活動暨“2016年中國標(biāo)準(zhǔn)創(chuàng)新貢獻(xiàn)獎”頒獎典禮在國家標(biāo)準(zhǔn)委隆重舉行。其中由晶能光電編制的《Q/JJN 002-2006?硅基氮化鎵藍(lán)光芯片》榮獲項目獎三等獎。

硅基氮化鎵藍(lán)光芯片標(biāo)準(zhǔn)是針對硅基氮化鎵LED藍(lán)光芯片所編制的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，對硅基LED芯片的光、電及色度特性，檢測條件，外觀質(zhì)量等進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)范。自硅襯底LED產(chǎn)品推向市場以來，晶能光電始終嚴(yán)格執(zhí)行該標(biāo)準(zhǔn)，為客戶提供高質(zhì)量的硅基LED產(chǎn)品。目前，硅襯底LED芯片產(chǎn)品性能可與國際大廠同類產(chǎn)品相媲美，且其獨(dú)特的優(yōu)勢如適合大功率照明、方向光、光品質(zhì)好等，使其在移動照明、汽車照明、手機(jī)閃光燈、戶外照明、高端室內(nèi)照明等高端照明市場領(lǐng)域贏得了較好的市場口碑。特別是今年硅襯底LED技術(shù)獲得了2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎，這是中央政府和專家們對該技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用成熟的最高肯定，使硅襯底LED產(chǎn)品迎來了更大的發(fā)展機(jī)遇。

晶能光電知識產(chǎn)權(quán)總監(jiān)章少華介紹到，晶能光電一直致力于硅襯底LED專利布局和標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)，技術(shù)專利化、專利標(biāo)準(zhǔn)化對企業(yè)競爭力的貢獻(xiàn)是有目共睹。今年8月，李克強(qiáng)總理寄語晶能光電從中國創(chuàng)造走向中國品牌，標(biāo)準(zhǔn)化是我們營造品牌競爭力的一個重要工作。我們將以此次獲獎為動力，以南昌光谷建設(shè)為契機(jī)，將硅基氮化鎵藍(lán)光芯片標(biāo)準(zhǔn)積極轉(zhuǎn)化為地方標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)、招標(biāo)文件、甚至是國際標(biāo)準(zhǔn)，并全面開展國際推廣，助力國際市場開拓。